核心技術(shù)外溢，產(chǎn)業(yè)化再突破｜依托高端爐管技術(shù)積淀，山東力冠年度磷化銦長晶設(shè)備訂單突破千臺(tái)

2026-06-17

2026年上半年，山東力冠磷化銦長晶設(shè)備訂單突破千臺(tái)量級(jí)，實(shí)現(xiàn)大批量訂單持續(xù)落地、穩(wěn)步交付，是公司核心爐管技術(shù)跨賽道賦能的標(biāo)志性成果。

一、企業(yè)核心根基

深耕半導(dǎo)體高端裝備領(lǐng)域十四載，山東力冠微電子裝備有限公司始終以高端薄膜沉積、熱處理爐管裝備為核心主業(yè)，長期攻堅(jiān)半導(dǎo)體集成電路核心裝備自主化，重點(diǎn)推進(jìn)12英寸高端爐管設(shè)備國產(chǎn)化替代，是公司技術(shù)迭代、產(chǎn)品升級(jí)與產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略布局的核心根基。

歷經(jīng)十四年高端爐管裝備研發(fā)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與大批量量產(chǎn)工藝沉淀，公司自主掌握高精度閉環(huán)控溫、超高真空調(diào)控、微量氣氛精準(zhǔn)配比三大底層核心技術(shù)。這套經(jīng)過長期上機(jī)驗(yàn)證、穩(wěn)定性極強(qiáng)的精密控制系統(tǒng)，不僅支撐高端硅基集成電路制程，更是第二代化合物半導(dǎo)體單晶生長裝備的同源技術(shù)底座，為公司跨賽道技術(shù)賦能、產(chǎn)業(yè)化延伸奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

二、產(chǎn)業(yè)化突破邏輯

伴隨人工智能大模型、超算算力網(wǎng)絡(luò)、AI數(shù)據(jù)中心集群高速擴(kuò)張，全球算力基礎(chǔ)設(shè)施迎來爆發(fā)式迭代。800G、1.6T乃至未來3.2T超高速光模塊全面普及，磷化銦作為第二代化合物半導(dǎo)體核心基材，已然成為AI算力時(shí)代不可替代的戰(zhàn)略性底層材料。

不同于硅基材料無法高效光電轉(zhuǎn)換的物理局限，磷化銦具備超高電子遷移率、近100%光電轉(zhuǎn)換效率，是高端光模塊激光器、探測器、高速光互聯(lián)芯片的唯一量產(chǎn)襯底材料，支撐AI算力中心海量數(shù)據(jù)的超低延遲、超高速傳輸，是當(dāng)前算力產(chǎn)業(yè)鏈最核心、最緊缺的上游剛需資源，也是國內(nèi)AI算力基礎(chǔ)設(shè)施自主可控的關(guān)鍵突破口。而磷化銦單晶生長對(duì)設(shè)備溫場均勻性、真空度穩(wěn)定性、氣流精準(zhǔn)控制的嚴(yán)苛工藝要求，與山東力冠深耕多年的高端爐管精密控制體系高度同源、完美契合。依托同源核心技術(shù)的深度賦能，公司在化合物半導(dǎo)體高端裝備賽道實(shí)現(xiàn)跨越式產(chǎn)業(yè)化突破：2026年度，公司磷化銦長晶設(shè)備訂單已突破千臺(tái)量級(jí)，大批量訂單持續(xù)落地、規(guī)?；桓斗€(wěn)步推進(jìn)。專注服務(wù)于AI算力光模塊配套光芯片制造領(lǐng)域，目前已成長為國內(nèi)磷化銦襯底生長設(shè)備領(lǐng)域核心供應(yīng)商。憑借成熟的爐管精密控制技術(shù)體系，我司磷化銦長晶設(shè)備溫場一致性高、真空系統(tǒng)穩(wěn)定性強(qiáng)、晶體生長良品表現(xiàn)優(yōu)異，量產(chǎn)穩(wěn)定性高，完全適配AI高速光通信產(chǎn)業(yè)鏈的大規(guī)模工業(yè)化量產(chǎn)需求。

三、企業(yè)差異化競爭力

區(qū)別于行業(yè)單一設(shè)備制造廠商，山東力冠具備高端集成電路裝備自研 + 化合物半導(dǎo)體工藝協(xié)同驗(yàn)證雙重核心能力。公司長期與下游光電、算力企業(yè)深度綁定，結(jié)合AI光電器件量產(chǎn)工況持續(xù)迭代設(shè)備結(jié)構(gòu)與智能控制算法，經(jīng)過數(shù)萬小時(shí)上機(jī)實(shí)測，設(shè)備工藝成熟、性能可靠，獲得行業(yè)客戶批量采購與高度認(rèn)可。

四、全譜系產(chǎn)業(yè)布局

本次千臺(tái)級(jí)磷化銦長晶設(shè)備訂單落地，是公司高端爐管核心技術(shù)跨領(lǐng)域外溢、跨賽道突破的標(biāo)志性成果，充分驗(yàn)證了公司溫控、真空、氣氛三大底層技術(shù)的通用性、先進(jìn)性與行業(yè)壁壘優(yōu)勢。

立足扎實(shí)的主業(yè)技術(shù)底盤，公司已完成二代、三代、四代化合物半導(dǎo)體裝備全梯隊(duì)?wèi)?zhàn)略布局：

二代半導(dǎo)體：磷化銦、砷化鎵長晶裝備，已實(shí)現(xiàn)千臺(tái)級(jí)規(guī)模化商用落地，深度配套AI高速光通信產(chǎn)業(yè)

三代半導(dǎo)體：碳化硅大尺寸長晶裝備、氮化鎵HVPE外延裝備持續(xù)迭代，穩(wěn)步推進(jìn)新能源、射頻、功率半導(dǎo)體商業(yè)化

四代半導(dǎo)體：氧化鎵長晶及成套外延裝備取得關(guān)鍵技術(shù)突破，提前布局下一代超寬禁帶半導(dǎo)體賽道

公司現(xiàn)已形成主業(yè)筑牢基本盤、新賽道多點(diǎn)突破的高質(zhì)量產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。

五、未來發(fā)展規(guī)劃

未來，山東力冠將持續(xù)堅(jiān)守高端半導(dǎo)體裝備核心主業(yè)，持續(xù)攻堅(jiān)12英寸高端爐管、薄膜沉積裝備國產(chǎn)化，補(bǔ)齊國內(nèi)集成電路核心裝備短板，搶抓國產(chǎn)替代黃金機(jī)遇。同時(shí)依托通用型底層核心技術(shù)，持續(xù)深化與AI光通信、算力網(wǎng)絡(luò)、高端光電領(lǐng)域客戶的戰(zhàn)略合作，持續(xù)迭代磷化銦第二代半導(dǎo)體裝備性能，加速推進(jìn)三代、四代化合物裝備市場化落地。實(shí)現(xiàn)硅基集成電路主業(yè) + 化合物光電算力裝備雙輪驅(qū)動(dòng)，持續(xù)賦能國內(nèi)半導(dǎo)體、高端光電、AI算力全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控，為中國高端半導(dǎo)體裝備國產(chǎn)化、算力基礎(chǔ)設(shè)施底層建設(shè)持續(xù)輸出硬核力量。

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